1、一文中講述了用紅外成像儀測(cè)功率半導(dǎo)體芯片溫度的案例使用熱成像儀時(shí)的注意事項(xiàng)為了實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量，使用熱成像儀時(shí)需要注意如；功率MOSFET的頂部 將器件裝配在PCB上，Vgs=30V，通過(guò)電流為94A，工作10分鐘，然后用紅外熱成像儀分別測(cè)量它們的頂部溫度；導(dǎo)讀AT400系列工業(yè)在線式測(cè)溫紅外熱像儀，為用戶帶來(lái)實(shí)時(shí)測(cè)溫+精準(zhǔn)分析新體驗(yàn)，賦能千行百業(yè)作為紅外熱成像領(lǐng)軍者，艾睿；三星S8+FLIR紅外熱像儀1功率測(cè)試EnergyPad無(wú)線充電器在無(wú)負(fù)載的情況下，自耗功率約為01W三星S8 plus充電放上手機(jī)。

2、上期分析了Boson機(jī)芯的參數(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域，Boson長(zhǎng)波紅外熱像儀機(jī)芯重新定義了尺寸重量和功率SWaP的革新標(biāo)準(zhǔn)，再次引領(lǐng)。

3、紅外熱像儀核心價(jià)值讓溫度“看得見(jiàn)”邁瑞迪SenXor專為解決嵌入式溫度成像痛點(diǎn)而生· 微型化革命9*9*8mm3極致封裝比；在眾多熱分析工具中，紅外熱像儀IR Thermography 憑借其非接觸全場(chǎng)實(shí)時(shí)測(cè)溫的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，成為芯片熱管理工程師們手中的。